最近小編看到大家都在討論場效應管符號_參數、結構、原理、應用電路 相關的事情，對此呢小編也是非常的感應興趣，那么這件事究竟是怎么發生的呢？具體又是怎么回事呢？下面就是小編搜索到的關于場效應管符號_參數、結構、原理、應用電路 事件的相關信息，我們一起來看一下吧！

FET符號(參數、結構、原理、應用電路)

場效應晶體管簡介

場效應晶體管是場效應晶體管的簡稱，縮寫為FET。

(資料圖)

FET是一種半導體放大器件，不僅具有體積小、省電耐用的優點，還具有輸入阻抗高(10的8次方歐姆)、噪聲低、熱穩定性好、功耗低、動態范圍大、抗輻射能力強、易于集成、無二次擊穿現象、安全工作區廣等優點。

FET的缺點是容易被靜電高壓擊穿。

場效應晶體管和晶體管的區別

三極管的載流子是空空穴和電子，所以三極管也叫雙極晶體管。

FET只有空個空穴或只有電子，所以也叫單極晶體管。

晶體管是電流控制器件，而場效應晶體管是電壓控制器件。

場效應晶體管的類型

場效應晶體管分為結型和絕緣柵型。

見下文

結型FET利用溝道兩側耗盡層的寬度來改變溝道的電導率，從而控制漏極電流。

絕緣FET利用感應電荷量來改變溝道導電性，從而控制漏極電流。

場效應晶體管物理圖

p溝道結型場效應晶體管

n溝道結型場效應晶體管

場效應晶體管的電路符號

符號表示FET的類型，FET的表示主要包括極性、材料、類型、規格號等。

場效應管的電路圖形符號可以表明它的種類。

場效應晶體管電路圖形符號的理解和記憶方法

場效應友好資源 *** 管理結構

下圖顯示了N溝道結型FET的結構和工作原理。可以看到它使用的是N型半導體，在其上下兩側引出一個電機，分別叫做漏極D和源極S。在N型半導體的兩側，設置一小片P型半導體，將它們連接起來作為柵極G，這樣在G，S和G，d之間就出現了PN結。

三種DC偏壓分析如下:

通過上面的分析，通過改變G和S之間的反向偏置電壓，可以改變流過溝道的電流，換句話說，柵極電壓可以控制漏極電流。

這說明FET是一種電壓控制器件。

下圖是N溝道絕緣柵FET的原理圖。在兩個N型區域之間形成N型硅薄層，從而形成N型溝道。在N型溝道上加一層絕緣材料二氧化硅，在絕緣層上加一層鋁層電極作為柵極g。

當在G和S之間加一個電壓時，G電極的鋁層和P型襯底就像以絕緣層為介質的平行板電容器。改變G電極和S電極之間的電壓可以改變N型溝道的電阻。

場效應晶體管的工作原理

場效應晶體管的主要參數

腳資源 *** 管理的封裝形式和管腳分布規則

場效應晶體管電路的例子

場效應管在開關電源電路開關振蕩電路中的應用

集成電路U101中的振蕩器開始振蕩，為場效應晶體管Q101的柵極G提供振蕩信號，場效應晶體管開始振蕩，使得開關變壓器T101的初級線圈產生開關電流，開關變壓器的次級線圈產生感應電流。3腳的輸出經過整流濾波后形成正反饋電壓，施加到U101的7腳，從而維持振蕩電路的工作，使開關電源進入正常工作狀態。該電路中用FET作為悠游資源網的脈沖放大器件，實現開關振蕩的功能。

關鍵詞：

責任編輯：Rex_10