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      三星電子正在研發(fā)單顆24GB的DDR5內(nèi)存顆粒 用于滿足企業(yè)用戶的需求

      8 月 1 日消息根據(jù)外媒 wccftech 消息,三星電子近日宣布,正在研發(fā)單顆 24GB 的 DDR5 內(nèi)存顆粒,用于滿足企業(yè)用戶的需求,尤其是云數(shù)據(jù)中心等客戶。使用 32 顆這種顆粒制造的內(nèi)存條,可以實現(xiàn)單條 768GB 的容量,能夠為服務(wù)器大幅提高內(nèi)存容量。

      三星此前展示過單條 512GB 的 RDIMM 服務(wù)器內(nèi)存條原型,其使用 32 片 16GB 顆粒。

      外媒表示,三星的 24GB DDR5 內(nèi)存顆粒可能使用 8-Hi 疊層工藝制造。目前最新的的服務(wù)器 CPU、工作站 CPU 大都具備 8 條內(nèi)存通道,如果單條 768GB DDR5 內(nèi)存得以應(yīng)用,每通道使用兩條,共計 16 條內(nèi)存可以實現(xiàn)單 CPU 高達(dá)12TB 的內(nèi)存容量。

      IT之家了解到,目前三星的 16GB 內(nèi)存顆粒可以實現(xiàn)量產(chǎn),但是 24GB 內(nèi)存顆粒還需要一段時間才能研發(fā)成功。除此之外,三星還公布了 EUV 工藝的最新進(jìn)展,并表示自家最新的 14nm 制程是同級別的最先進(jìn)的工藝,預(yù)計將會于下半年使用 EUV 工藝,制造 5 層層疊式 16GB DDR5 DRAM 內(nèi)存芯片。

      關(guān)鍵詞: 三星電子 內(nèi)存顆粒

      責(zé)任編輯:Rex_07

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