做為全球最大最先進(jìn)的晶圓代工廠，臺(tái)積電在7nm、5nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先三星等對(duì)手，明年面還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，接下來則是2nm工藝。
臺(tái)積電計(jì)劃未來三年投資1000億美元，其中先進(jìn)工藝花費(fèi)的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺(tái)積電去年稱2nm工藝取得了重大進(jìn)展，進(jìn)度比預(yù)期的要好。
實(shí)際上臺(tái)積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術(shù)探索階段，尋找到了可行的技術(shù)路徑。
現(xiàn)在2nm工藝才算是進(jìn)入了研發(fā)階段，重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了測(cè)試載具設(shè)計(jì)、光罩制作及硅試產(chǎn)等方向。
根據(jù)臺(tái)積電的說法，2nm工藝節(jié)點(diǎn)上，他們也會(huì)放棄FinFET晶體管結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，此前三星更為激進(jìn)，在3nm節(jié)點(diǎn)就會(huì)棄用GAA晶體管，不過這兩家的GAA晶體管結(jié)構(gòu)也不會(huì)一樣，孰優(yōu)孰劣還沒定論。
在2nm節(jié)點(diǎn)，光刻工藝更加重要，EUV光刻是少不了的，但此前的EUV工藝還存在不少問題，臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)也會(huì)重點(diǎn)改進(jìn)EUV工藝，提高光刻中的質(zhì)量及效率。
至于量產(chǎn)時(shí)間，臺(tái)積電的2nm工廠現(xiàn)在還在起步階段，此前消息稱是2023年試產(chǎn)2nm工藝，2024年量產(chǎn)。
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