8月19日消息，盛美半導(dǎo)體設(shè)備近日公布的邊緣濕法刻蝕設(shè)備，進一步拓寬了盛美濕法設(shè)備的覆蓋面。該新設(shè)備使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機材料薄膜，以及顆粒污染物。這種方法最大限度地減少了邊緣污染對后續(xù)工藝步驟的影響，提高了芯片制造的良率，同時整合背面晶圓清洗的功能，進一步優(yōu)化了工藝和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長王暉表示：“在IC制造工藝?yán)铮貏e是在3D NAND、DRAM和先進邏輯器件工藝中，晶圓邊緣剝離、雜質(zhì)顆粒和殘留物會導(dǎo)致晶圓邊緣良率降低，現(xiàn)在這個問題的解決對于優(yōu)化整體工藝良率變得越來越重要。我們開發(fā)的邊緣濕法刻蝕清洗設(shè)備可有效解決這種邊緣良率降低的問題，這款新產(chǎn)品也把盛美在濕法工藝的專業(yè)技術(shù)拓展到邊緣刻蝕應(yīng)用領(lǐng)域。與干法相比，該產(chǎn)品不僅具備明顯的性能優(yōu)勢，而且可以顯著減少化學(xué)品的用量。更值得一提的是，盛美獨創(chuàng)的專利技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對準(zhǔn)，以實現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕，從而提高良率及產(chǎn)能。”

盛美的邊緣刻蝕產(chǎn)品支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和先進邏輯工藝。

一直以來，制造商都是使用干法刻蝕工藝來解決邊緣薄膜和污染物去除的問題。濕法刻蝕區(qū)別于干法工藝，它避免了產(chǎn)生電弧和硅損傷的風(fēng)險，同時還能通過 1-7 毫米可變的晶圓邊緣薄膜刻蝕/切割精度、良好的均勻性、可控的刻蝕選擇性和較低的化學(xué)品消耗量，來降低總體擁有成本。

盛美首臺用于量產(chǎn)的邊緣刻蝕產(chǎn)品將于2021年第三季度交付給一家中國的邏輯器件制造商。

關(guān)鍵詞： 盛美 半導(dǎo)體 邊緣 濕法 刻蝕

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