北京時間1月31日，西數公司正式宣布了新一代閃存技術BiCS5。BiCS5閃存是西數目前最先進、密度最高的3D NAND閃存，通過采用第二代多層存儲孔、改進工藝及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了存儲芯片的橫向存儲密度，再加上112層縱向堆棧，使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4閃存技術有了明顯提升，存儲容量提升40%，IO性能提升了50%，同時優化了成本。
西數BiCS5閃存主要有TLC及QLC閃存兩種類型，初期會以512Gb核心的TLC開始量產，后續會提供更多容量選擇，包括最高密度的1.33Tb QLC閃存，預計2020年下半年開始商業化量產，主要生產工廠是日本三重縣四日市及巖手縣北上市的晶圓廠。
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