近日，全球最大的芯片代工廠臺積電宣布，該公司聯合臺大、麻省理工宣布，1nm以下芯片已取得了重大進展，相關研究成果已發表于《自然》。
據Hexus等國外媒體報道，來自臺積電，臺灣大學和麻省理工學院(MIT)的研究科學家宣布，在電子領域的“超越硅”和2D材料的使用方面取得了突破，論文發布在《自然》雜志。他們聲稱，這項研究為1nm以下的電子制造工藝提供了一條途徑，有助于突破當前半導體技術和材料的極限。
根據該研究論文，研究人員通過將硅與半金屬鉍(Bi)結合，用具有低接觸電阻和高電流傳輸能力的2D材料代替了半導體的關鍵材料硅。
目前，臺積電和三星電子是世界上僅有的兩家可以批量生產7納米以下半導體的公司，兩家公司目前都在批量生產5納米產品。
半導體行業專家一直在關注兩家公司中的哪一家將首先開始批量生產3nm產品。眾所周知，與5納米制程相比，3納米制程可使芯片尺寸減小35%，但其性能和電池效率分別提高15%和30%。
臺積電有望在2022年年底開始批量生產3納米產品。這家臺灣半導體巨頭正在投資120億美元，在亞利桑那州鳳凰城建設一條5納米生產線。最近，該公司制定了一項計劃，計劃額外建造五條生產線，其中包括最先進的低于3納米的生產線。
三星電子方面則宣布，它將在明年開始批量生產3納米半導體。但是，臺積電宣布在開發1nm以下核心技術方面取得了突破，從而領先一步。
三星電子在代工業務方面仍遠遠落后于其全球競爭對手臺積電。根據市場研究公司TrendForce的數據，2020年，臺積電以54%的份額領先全球晶圓代工市場，而三星電子則占有17%的份額，不到臺積電的三分之一。
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