近日，全球最大的芯片代工廠臺(tái)積電宣布，該公司聯(lián)合臺(tái)大、麻省理工宣布，1nm以下芯片已取得了重大進(jìn)展，相關(guān)研究成果已發(fā)表于《自然》。
據(jù)Hexus等國(guó)外媒體報(bào)道，來(lái)自臺(tái)積電，臺(tái)灣大學(xué)和麻省理工學(xué)院(MIT)的研究科學(xué)家宣布，在電子領(lǐng)域的“超越硅”和2D材料的使用方面取得了突破，論文發(fā)布在《自然》雜志。他們聲稱(chēng)，這項(xiàng)研究為1nm以下的電子制造工藝提供了一條途徑，有助于突破當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)和材料的極限。
根據(jù)該研究論文，研究人員通過(guò)將硅與半金屬鉍(Bi)結(jié)合，用具有低接觸電阻和高電流傳輸能力的2D材料代替了半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料硅。
目前，臺(tái)積電和三星電子是世界上僅有的兩家可以批量生產(chǎn)7納米以下半導(dǎo)體的公司，兩家公司目前都在批量生產(chǎn)5納米產(chǎn)品。
半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家一直在關(guān)注兩家公司中的哪一家將首先開(kāi)始批量生產(chǎn)3nm產(chǎn)品。眾所周知，與5納米制程相比，3納米制程可使芯片尺寸減小35%，但其性能和電池效率分別提高15%和30%。
臺(tái)積電有望在2022年年底開(kāi)始批量生產(chǎn)3納米產(chǎn)品。這家臺(tái)灣半導(dǎo)體巨頭正在投資120億美元，在亞利桑那州鳳凰城建設(shè)一條5納米生產(chǎn)線。最近，該公司制定了一項(xiàng)計(jì)劃，計(jì)劃額外建造五條生產(chǎn)線，其中包括最先進(jìn)的低于3納米的生產(chǎn)線。
三星電子方面則宣布，它將在明年開(kāi)始批量生產(chǎn)3納米半導(dǎo)體。但是，臺(tái)積電宣布在開(kāi)發(fā)1nm以下核心技術(shù)方面取得了突破，從而領(lǐng)先一步。
三星電子在代工業(yè)務(wù)方面仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于其全球競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。根據(jù)市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)，2020年，臺(tái)積電以54%的份額領(lǐng)先全球晶圓代工市場(chǎng)，而三星電子則占有17%的份額，不到臺(tái)積電的三分之一。
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